Descrizione
Scheda Tecnica
Article IRF830
Description N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarity N-CHANNEL (N-FET)
Drain Current 4,5A
Drain-Source Voltage 500V
Resistence Drain-Soucer RDS 1,5oHM - 1R5 - 1,5R
Power dissipation 74W
Time
Package-Case TO220 - TO-220
Pinning 1: Gate - 2: Drain - 3: Source
Marking
Article in substitution (advised) BUZ41A - BUZ42 - MTP6N55 - 2SK553 - 2SK893
Manufacturer
Application
Nota informativa I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
