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HGTG20N60B3D GTG20N60B3D Mosfet IGBT

HGTG20N60B3D GTG20N60B3D Mosfet IGBT
Marchio Predefinito
Cod. HGTG20N60B3D
Confezione 1
Disponibilità  Disponibile
Prezzo offerto 19,52 €
Prezzi IVA compresa
Quantità
HGTG20N60B3D GTG20N60B3D Mosfet IGBT
Scheda tecnica
Scheda Tecnica
Article HGTG20N60B3D
Description IGBT Isulated gate bipolar with anti-parallel hyperfast (iperfast) diode
Polarity N-CHANNEL (N-FET)
Drain-Source Voltage 600v
Drain Current 40A
Power dissipation 165W
Resistence Drain-Soucer RDS
Package-Case TO247 - TO-247
Pinning 1: Gate - 2: Collector - 3: Emitter
Article in substitution (advised) G20N60A3D - G20N60A3D
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